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BSS123A	文件：45.25 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BSS123-G	文件：202.46 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BSS123I	文件：1.02919 Mbytes Page：10 Pages	OptiMOSTMSmall-Signal-Transistor,100V	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSS123K	文件：433.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BSS123K	文件：459.51 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage HighDrain-SourceVoltageRating ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplications	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BSS123K	文件：237.94 Kbytes Page：6 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures ●VDS=100V,ID=0.17A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
BSS123L	文件：1.69212 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BSS123L	文件：486.71 Kbytes Page：5 Pages	MOSFETN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheBSS123L isavailableinSOT23package FEATURES ?AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
BSS123N	文件：633.16 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features ?N-channel ?Enhancementmode ?Logiclevel(4.5Vrated) ?Avalancherated ?QualifiedaccordingtoAECQ101 ?100lead-free;RoHScompliant,Halogenfree	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSS123Q	文件：532.99 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage HighDrain-SourceVoltageRating TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheBSS123Qissuitableforautomotiveapplicat	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BSS123W	文件：67.49 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInp	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BSS123W	文件：92.42 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BSS123W	文件：152.36 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?HighDrain-SourceVoltageRating ?LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability ?GreenDevice,Note3and4	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BSS123W	文件：216.64 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor Description ThisN-channelenhancementmodefieldeffecttransistorisproducedusinghighcelldensity,trenchMOSFETtechnology.Thisproductminimizeson-stateresistancewhileprovidingrugged,reliableandfastswitchingperformance.Thisproductisparticularlysuitedforlow-voltage,low-c	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BSS123W	文件：2.06458 Mbytes Page：5 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE SurfaceMountPackage HighDensityCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) VoltageControlledSmallSignalSwitch RuggedandReliable	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
BSS123W	文件：1.07264 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BSS123W	文件：455.1 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET FEATURE ?SurfaceMountPackage ?HighDensityCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?VoltageControlledSmallSignalSwitch ?RuggedandReliable APPLICATION ?SmallServoMotorControls ?PowerMOSFETGateDrivers ?SwitchingApplication	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
BSS123WQ	文件：419.64 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpe	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BUL123S	文件：788.44 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BYD123	文件：65.2 Kbytes Page：8 Pages	Ultrafastlow-lossrectifier DESCRIPTION CavityfreecylindricalglassSOD81packagethroughImplotec?technology.Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. FEATURES ?Glasspassivated ?Highmaximumoperatingtemperature ?Lowleakagecur	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
BSS123 T/R
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin TO-236AB T/R

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	BSS123+215	NXP	21+	SOT23	30	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	BSS123+215	NXP	23+	SOT23	30	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市賽美科科技有限公司	BSS123125	NXP		SOT23	12350	一級代理原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BSS123-129	NXP/恩智浦	23+	SOT-23	10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市凌旭科技有限公司	BSS123-13-F	DIODES	2016+	SOT23	2902	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價
深圳兆威電子有限公司	BSS123-13-F	DIODES/美臺	22+	SOT23	90000	正規(guī)代理渠道假一賠十	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	BSS123-13-F	DIODESINC	24+		35200	一級代理/放心采購	詢價
深圳市正納電子有限公司	BSS123-13-F	Diodes(美臺)	23+	NA	20094	正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持	詢價
深圳市能創(chuàng)芯電子科技有限公司	BSS123-13-F	DIODES/美臺	23+	NA	6000	原裝正品假一罰百!可開增票!	詢價
深圳市誠利順電子科技有限公司	BSS123-13-F	DIODES/美臺	22+	SOT23	30000	十七年VIP會員,誠信經(jīng)營，一手貨源，原裝正品可零售！	詢價

更多BSS123 T/R供應(yīng)商更新時間2025-1-13 17:25:00

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