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PCM-3618I-AE

PC/104DatacomModules

PC/104DatacomModules PCM-3117 PCItoISABridgeModule PCM-3614/3618 4/8-PortRS-422/485High-speedPC/104Module PCM-3614I/3618I 4/8-PortRS-232/422/485PCI-104Modules PCM-3641I/3642I 4/8-PortRS-232PCI-104Modules PCM-3680/I 2-PortCAN-busPC/104/PCI-104ModulewithIsolationPro

ADVANTECHAdvantech Co., Ltd.

研華科技研華科技（中國）有限公司

PE3618

CABLEASSEMBLY,RG216/U,75OHMNMALETO75OHMNMALE

PASTERNACK

Pasternack Enterprises, Inc.

PE3618LF

CABLEASSEMBLY,RG216/U,75OHMNMALETO75OHMNMALE

PASTERNACK

Pasternack Enterprises, Inc.

PST3618NR

ICforCMOSSystemReset

MITSUMIMitsumi Electronics, Corp.

三美三美電機株式會社

PST3618UR

ICforCMOSSystemReset

MITSUMIMitsumi Electronics, Corp.

三美三美電機株式會社

RMQCEA3618DGBA

36-MbitDDR?IISRAM2-wordBurstArchitecture(2.5CycleReadlatency)withODT

Description TheRMQCEA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQCEA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RMQCHA3618DGBA

36-MbitDDR?IISRAM2-wordBurstArchitecture(2.0CycleReadlatency)

Description TheRMQCHA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQCHA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RMQCHA3618DGBA

36-MbitDDR?IISRAM2-wordBurstArchitecture(2.0CycleReadlatency)

Description TheRMQCHA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQCHA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RMQSAA3618DGBA

36-MbitQDR?IISRAM4-wordBurstArchitecture(2.5CycleReadlatency)

Description TheRMQSAA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQSAA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RMQSDA3618DGBA

36-MbitQDR?IISRAM4-wordBurstArchitecture(2.5CycleReadlatency)withODT

Description TheRMQSDA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQSDA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BU3618K

  • 功能描述：

    IC D/A CONV 3CH 5V 8BIT QFP44

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)模轉(zhuǎn)換器

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：

    LTC263x 12-, 10-, and 8-Bit VOUT DAC Family

  • 特色產(chǎn)品：

    LTC2636 - Octal 12-/10-/8-Bit SPI VOUT DACs with 10ppm/°C Reference

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    91

  • 設(shè)置時間：

    4µs

  • 位數(shù)：

    10

  • 數(shù)據(jù)接口：

    MICROWIRE?，串行，SPI?

  • 轉(zhuǎn)換器數(shù)目：

    8

  • 電壓電源：

    單電源

  • 功率耗散（最大）：

    2.7mW

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    14-WFDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    14-DFN-EP（4x3）

  • 包裝：

    管件

  • 輸出數(shù)目和類型：

    8 電壓，單極

  • 采樣率（每秒）：

    *

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BU3618K供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 11:02:00

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