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BUK653R5-55C

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

1.1Generaldescription IntermediatelevelgatedriveN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET) inaplasticpackageusingadvancedTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeen designedandqualifiedtotheappropriateAECQ101standardforuseinhighperformance automotiveappl

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安世安世半導體(中國)有限公司

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更多BUK653R5-55C供應商 更新時間2024-11-16 16:04:00

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