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EPA3806GE	文件：41.4 Kbytes Page：1 Pages	MiniatureSurfaceMountTransformer	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
IIRFB3806	文件：339.33 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRFR3806	文件：335.84 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IRFB3806PBF	文件：564.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFB3806PBF	文件：570.25 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR3806	文件：1.3313 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3806	文件：536.74 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET Features VDS(V)=60V RDS(ON)15.8m(VGS=10V) Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheSOA *EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dt Capability	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRFR3806	文件：504.72 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET Features VDS(V)=60V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
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IRFR3806PBF	文件：512.159 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3806TR	文件：536.74 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET Features VDS(V)=60V RDS(ON)15.8m(VGS=10V) Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheSOA *EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dt Capability	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
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IRFS3806	文件：263.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFS3806PBF	文件：564.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
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更多C3806P供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-31 17:34:00

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