亚洲日本三级,40岁成熟女人牲交片20分钟

首頁 >CEB01N65>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
CEB01N65	文件：429.92 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP01N65650V10.5Ω1.3A10V CEF01N65650V10.5Ω1.3A10V CEB01N65650V10.5Ω1.3A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED01N65	文件：400.59 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,1.2A,RDS(ON)=10.5Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED01N65A	文件：472.38 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.9A,RDS(ON)=15W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED01N65A	文件：398.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.9A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEF01N65	文件：429.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP01N65650V10.5Ω1.3A10V CEF01N65650V10.5Ω1.3A10V CEB01N65650V10.5Ω1.3A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEK01N65	文件：1.2255 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.35A,RDS(ON)=10.5Ω@VGS=10V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEK01N65	文件：679.14 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.35A,RDS(ON)=10.5W@VGS=10V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEK01N65A	文件：583.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.3A,RDS(ON)=15W@VGS=10V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEK01N65A	文件：375.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.3A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-92(Bulk)&TO-92(Ammopack)package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP01N65	文件：429.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP01N65650V10.5Ω1.3A10V CEF01N65650V10.5Ω1.3A10V CEB01N65650V10.5Ω1.3A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU01N65	文件：400.59 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,1.2A,RDS(ON)=10.5Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU01N65A	文件：472.38 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,0.9A,RDS(ON)=15W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU01N65A	文件：398.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,0.9A,RDS(ON)=15Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CJB01N65B	文件：345.5 Kbytes Page：2 Pages	TO-263-2LPlastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJD01N65B	文件：750.66 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJP01N65B	文件：584.29 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJPF01N65B	文件：343.15 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJU01N65B	文件：695.63 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJV01N65B	文件：710.67 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
CJV01N65B	文件：339.15 Kbytes Page：2 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI

12 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號：
CEB01N65
制造商：
CET
制造商全稱：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	CEB01N65	CET/華瑞	23+	TO-263	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CEB01N6G	CET/華瑞	2022+	TO-263	50000	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	CEB01N6G	CET/華瑞	23+	TO-263	122999	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	CEB01N6G	CET/華瑞	2022+	TO-263	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市德力誠信科技有限公司	CEB024	MAXLINEAR	24+	con	100	現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格https://www.jbchip.com/index	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	CEB02N6	CET	24+		50000		詢價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	CEB02N6	CET	24+	TO-263	90000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	CEB02N6	CET	22+	TO-263	17636	原裝正品現(xiàn)貨,可開13點(diǎn)稅	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	CEB02N6	CET	2020+	TO-263	16800	絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢!?	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	CEB02N6	ON/安森美	23+	TO-252	69820	終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!	詢價(jià)

更多CEB01N65供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-8 14:30:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存