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CEB160N08S中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

CEB160N08S
廠(chǎng)商型號(hào)

CEB160N08S

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

532.69 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

CET-MOS華瑞

中文名稱(chēng)

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-11 18:36:00

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CEB160N08S規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

80V, 152A, RDS(ON) = 3.6mW @VGS = 10V

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

RoHS compliant.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
JINGDAO/晶導(dǎo)微
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SOD-123
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終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理
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C23-電容器
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原裝正品,支持實(shí)單
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原裝正品,假一罰十
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CET/華瑞
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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CET/華瑞
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TO-263
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現(xiàn)貨很近!原廠(chǎng)很遠(yuǎn)!只做原裝
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