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CEP190N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V,190A,RDS(ON)=3.7mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. Applications Batteryprotection,UPS.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEB190N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,190A,RDS(ON)=3.7mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. Applications Batteryprotection,UPS.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

RU190N10Q

N-ChannelAdvancedPowerMOSFET

RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd

銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司

RU190N10R

N-ChannelAdvancedPowerMOSFET

RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd

銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司

RU190N10S

N-ChannelAdvancedPowerMOSFET

RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd

銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司

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更多CEP190N10供應(yīng)商 更新時間2025-3-15 16:30:00

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