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CEZ09C4

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 40V,240A,RDS(ON)=0.9mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=1.7mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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CET/華瑞
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更多CEZ09C4供應(yīng)商 更新時間2024-12-24 8:30:00