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CG2H80030D分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
CG2H80030D |
| 參數屬性 | CG2H80030D 封裝/外殼為模具；包裝為托盤；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：RF MOSFET HEMT 28V DIE |
| 功能描述 | 30 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die |
| 封裝外殼 | 模具 |
| 文件大小 |
1.63946 Mbytes |
| 頁面數量 |
9 頁 |
| 生產廠商 | WOLFSPEED, INC. |
| 企業(yè)簡稱 |
WOLFSPEED |
| 中文名稱 | WOLFSPEED, INC.官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-20 17:57:00 |
| 人工找貨 | CG2H80030D價格和庫存，歡迎聯系客服免費人工找貨 |
CG2H80030D規(guī)格書詳情
CG2H80030D屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產的CG2H80030D晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Description
Wolfspeed’s CG2H80030D is a gallium nitride (GaN) High
Electron Mobility Transistor (HEMT). GaN has superior
properties compared to silicon or gallium arsenide,
including higher breakdown voltage, higher saturated
electron drift velocity, and higher thermal conductivity. GaN
HEMTs offer greater power density and wider bandwidths
compared to Si and GaAs transistors.
Applications
? 2-Way Private Radio
? Broadband Amplifiers
? Cellular infrastructure
? Test Instrumentation
? Class A, AB, Linear amplifiers suitable for OFDM,
W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms
Features
? 17 dB Typical Small Signal Gain at 4 GHz
? 12 dB Typical Small Signal Gain at 8 GHz
? 30 W Typical PSAT
? 28 V Operation
? High Breakdown Voltage
? High Temperature Operation
? Up to 8 GHz Operation
? High Efficiency
產品屬性
更多- 產品編號：
CG2H80030D-GP4
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 系列：
GaN
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
HEMT
- 頻率：
8GHz
- 增益：
16.5dB
- 功率 - 輸出：
30W
- 封裝/外殼：
模具
- 供應商器件封裝：
模具
- 描述：
RF MOSFET HEMT 28V DIE
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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