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CG2H80030D

30 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die

Description Wolfspeed’sCG2H80030Disagalliumnitride(GaN)High ElectronMobilityTransistor(HEMT).GaNhassuperior propertiescomparedtosiliconorgalliumarsenide, includinghigherbreakdownvoltage,highersaturated electrondriftvelocity,andhigherthermalconductivity.GaN HEMT

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

CG2H80030D

30 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die

CreeCree, Inc

科銳

CG2H80030D-GP4

Package：模具；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：RF MOSFET HEMT 28V DIE

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

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更多CG2H80030D供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 10:08:00

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