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CG2H80045D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CG2H80045D
廠商型號(hào)

CG2H80045D

參數(shù)屬性

CG2H80045D 封裝/外殼為模具;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:45W, GAN HEMT, 28V, DC-8.0GHZ, B

功能描述

45 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die
45W, GAN HEMT, 28V, DC-8.0GHZ, B

封裝外殼

模具

文件大小

1.047599 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 WOLFSPEED, INC.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

WOLFSPEED

中文名稱

WOLFSPEED, INC.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-20 19:46:00

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CG2H80045D規(guī)格書詳情

CG2H80045D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CG2H80045D晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

Wolfspeed’s CG2H80045D is a gallium nitride (GaN) High

Electron Mobility Transistor (HEMT). GaN has superior

properties compared to silicon or gallium arsenide, including

higher breakdown voltage, higher saturated electron drift

velocity, and higher thermal conductivity. GaN HEMTs offer

greater power density and wider bandwidths compared to Si

and GaAs transistors

Features

? 15 dB Typical Small Signal Gain at 4 GHz

? 12 dB Typical Small Signal Gain at 8 GHz

? 45 W Typical PSAT

? 28 V Operation

? High Breakdown Voltage

? High Temperature Operation

? Up to 8 GHz Operation

? High Efficiency

Applications

? 2-Way Private Radio

? Broadband Amplifiers

? Cellular Infrastructure

? Test Instrumentation

? Class A, AB, Linear amplifiers suitable for OFDM,

W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CG2H80045D-GP4

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    8GHz

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 輸出:

    45W

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    45W, GAN HEMT, 28V, DC-8.0GHZ, B

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