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CG2H80045D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
CG2H80045D |
| 參數(shù)屬性 | CG2H80045D 封裝/外殼為模具；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：45W, GAN HEMT, 28V, DC-8.0GHZ, B |
| 功能描述 | 45 W, 8.0 GHz, GaN HEMT Die |
| 封裝外殼 | 模具 |
| 文件大小 |
1.047599 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | WOLFSPEED, INC. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
WOLFSPEED |
| 中文名稱 | WOLFSPEED, INC.官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-20 19:46:00 |
| 人工找貨 | CG2H80045D價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
CG2H80045D規(guī)格書詳情
CG2H80045D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由WOLFSPEED, INC.制造生產(chǎn)的CG2H80045D晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
Description
Wolfspeed’s CG2H80045D is a gallium nitride (GaN) High
Electron Mobility Transistor (HEMT). GaN has superior
properties compared to silicon or gallium arsenide, including
higher breakdown voltage, higher saturated electron drift
velocity, and higher thermal conductivity. GaN HEMTs offer
greater power density and wider bandwidths compared to Si
and GaAs transistors
Features
? 15 dB Typical Small Signal Gain at 4 GHz
? 12 dB Typical Small Signal Gain at 8 GHz
? 45 W Typical PSAT
? 28 V Operation
? High Breakdown Voltage
? High Temperature Operation
? Up to 8 GHz Operation
? High Efficiency
Applications
? 2-Way Private Radio
? Broadband Amplifiers
? Cellular Infrastructure
? Test Instrumentation
? Class A, AB, Linear amplifiers suitable for OFDM,
W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
CG2H80045D-GP4
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 系列：
GaN
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
HEMT
- 頻率：
8GHz
- 增益：
15dB
- 功率 - 輸出：
45W
- 封裝/外殼：
模具
- 供應(yīng)商器件封裝：
模具
- 描述：
45W, GAN HEMT, 28V, DC-8.0GHZ, B
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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05+ |
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