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DAM50N60C	文件：277.47 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
DAM50N60G	文件：234.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
DTGN50N60	文件：1.47824 Mbytes Page：10 Pages	Extremelyenhancedavalanchecapability GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergy efficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
FGA50N60LS	文件：493.84 Kbytes Page：7 Pages	IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGW50N60H	文件：645.08 Kbytes Page：6 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FGW50N60HD	文件：646.63 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FGW50N60VD	文件：671.72 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
G50N60F	文件：176.19 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
G50N60HS	文件：355.61 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGB50N60T	文件：648.1 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGB50N60T	文件：467.71 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGB50N60T	文件：402.03 Kbytes Page：13 Pages	LOWLOSSIGBTINTRENCHANDFIELDSTOPTECHNOLOGY LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply ?TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGP50N60T	文件：402.03 Kbytes Page：13 Pages	LOWLOSSIGBTINTRENCHANDFIELDSTOPTECHNOLOGY LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply ?TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IGW50N60TP	文件：1.46338 Mbytes Page：14 Pages	600VIGBTTRENCHSTOPTMPerformanceseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IKW50N60DTP	文件：1.54658 Mbytes Page：16 Pages	600VDuoPackIGBTanddiodeTRENCHSTOPTMPerformanceseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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更多CMD50N60供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-4 14:14:00

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