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DE275-501N16A中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
DE275-501N16A規(guī)格書(shū)詳情
VDSS = 500 V
ID25 = 16 A
RDS(on) = .5 ?
PDHS = 375 W
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Low Q
g and Rg
High dv/dt
Nanosecond Switching
Features
? Isolated Substrate
? high isolation voltage (>2500V)
? excellent thermal transfer
? Increased temperature and power cycling capability
? IXYS advanced low Qg process
? Low gate charge and capacitances
? easier to drive
? faster switching
? Low RDS(on)
? Very low insertion inductance (<2nH)
? No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials
Advantages
? Optimized for RF and high speed switching at frequencies to 100MHz
? Easy to mountóno insulators needed
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
DE275-501N16A
- 制造商：
IXYS Corporation
- 功能描述：
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 6-Pin(4+2Tab)
- 功能描述：
MOSFET N RF DE275
- 功能描述：
MOSFET, N, RF, DE275
- 功能描述：
RF MOSFET, N CHANNEL, 500V, DE-275; Transistor
- Type：
RF MOSFET; Drain Source Voltage
- Vds：
500V; Continuous Drain Current
- Id：
16A; Power Dissipation
- Pd：
590W; Operating Temperature
- Min：
-55C; Operating Temperature
- Max：
175C; No. of
- Pins：
6;RoHS
- Compliant：
Yes
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SEEQ |
2020+ |
DIP |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
SEEQ |
24+ |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) | |||
SEEE |
21+ |
CDIP |
502 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
SEEQ |
23+ |
原裝原封 |
8888 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
SEEQ |
24+ |
DIP-24 |
105 |
詢價(jià) | |||
SEEQ |
QQ咨詢 |
DIP |
268 |
全新原裝 研究所指定供貨商 |
詢價(jià) | ||
TOKO |
24+ |
SMD |
68900 |
一站配齊 原盒原包現(xiàn)貨 朱S Q2355605126 |
詢價(jià) | ||
IXYSRF |
2019+ |
SMD |
6992 |
原廠渠道 可含稅出貨 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
SEEQ |
23+ |
DIP |
98900 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨!! |
詢價(jià) |
