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DF900R12IP4D

PrimePACK?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr??erer Emitter Controlled 4 Diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

DF900R12IP4DV

Technische Information / Technical Information

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DF900R12IP4DBOSA1

Package:模塊;包裝:托盤 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W

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DF900R12IP4DVBOSA1

Package:模塊;包裝:托盤 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W

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FD900R12IP4D

PrimePACK2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,grobererEmitterControlled4Diode

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FD900R12IP4DV

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FF900R12IP4

EvaluationDriverBoardfor1200VPrimePACK?

1Introduction The2ED250E12-FevaluationdriverboardshowninFig.1wasdevelopedtosupportcustomersduringtheir firstdesignstepswiththe1200VPrimePACK?IGBTmodule.Theevaluationdriverboardisafully functionalIGBTmoduledriverwheretwo1ED020I12-FdriverICprocesscontrola

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FF900R12IP4

PrimePACK2ModulmitTrench

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FF900R12IP4

PrimePACK2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC

ElectricalFeatures ?ExtendedOperationTemperatureTvjop ?HighDCStability ?HighShortCircuitCapability,SelfLimitingShortCircuitCurrent ?UnbeatableRobustness ?VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient ?LowVCEsat MechanicalFeatures ?4kVAC1minInsulation ?Package

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FF900R12IP4D

PrimePACK??ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,gr??ererEmitterControlled4DiodeundNTC

ElectricalFeatures ?ExtendedOperationTemperatureTvjop ?HighDCStability ?HighShortCircuitCapability,SelfLimitingShortCircuitCurrent ?UnbeatableRobustness ?EnlargedDiodeforregenerativeoperation ?VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient ?LowVCEsat MechanicalFea

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    DF900R12IP4D

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 IGBT MODULES 1200V 900A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多DF900R12IP4D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-30 8:12:00