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FCPF11N65	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCPF11N65-G	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HMS11N65	文件：729.14 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperJunctionMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HMS11N65F	文件：721.43 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperJunctionMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HMS11N65I	文件：882.25 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HMS11N65K	文件：882.25 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
ICE11N65FP	文件：978.14 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS Micross Components	MICROSS
ICE11N65FP	文件：596.15 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
KPS11N65D	文件：389.46 Kbytes Page：6 Pages	ThisSuperJunctionMOSFEThasbettercharacteristics	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KPS11N65F	文件：390.84 Kbytes Page：6 Pages	ThisSuperJunctionMOSFEThasbettercharacteristics	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
MDF11N65B	文件：787.51 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,12A,0.65(ohm) GeneralDescription TheseN-channelMOSFETareproducedusingadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowonstateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality. ThesedevicesaresuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications. Feat	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF11N65B	文件：1.07166 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
MDF11N65BTH	文件：787.51 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,12A,0.65(ohm) GeneralDescription TheseN-channelMOSFETareproducedusingadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowonstateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality. ThesedevicesaresuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications. Feat	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF11N65BTH	文件：322.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDFS11N65B	文件：895.6 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,12A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDFS11N65BTH	文件：322.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDFS11N65BTH	文件：895.6 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,12A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
NCE11N65	文件：614.06 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE11N65F	文件：614.06 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
P11N65ZA	文件：1.033069 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳新景潤(rùn)電子科技有限公司	DHSJ11N65	DONGHAI	23+	TO-220	80000	原裝正品,一級(jí)代理	詢價(jià)
北京天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司	DHSJ21N65	東海半導(dǎo)體	23+	NA	158	MOSFET	詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司（原深創(chuàng)輝科技）	DHSM204250154J	SHINYEI	1999		4000	原裝正品長(zhǎng)期供貨，如假包賠包換徐小姐13714450367	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	DHSM204250154J	SHINYEI	21+		35200	一級(jí)代理/放心采購(gòu)	詢價(jià)
深圳市振鑫微電子科技有限公司	DHSM204250154J	SHINYEI	23+		589610	新到現(xiàn)貨原廠一手貨源價(jià)格秒殺代理!	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	DHSM204250VDC564JB15	SHINYEI	23+	DIP2	10000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
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更多DHSJ11N65供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-17 9:30:00

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