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SDS065J008S3

Marking：DS065008S3；Package：DFN；3 rd Generation 65 0V/ 8A SiC Schottky Barrier Diode

RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScompliant

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安半導體三安光電股份有限公司

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更多DS065008S3供應商 更新時間2025-2-4 10:08:00

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