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DS1230W-100IND+ 集成電路(IC)存儲(chǔ)器 AD/亞德諾
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):DS1230W-100IND+品牌:Analog Devices Inc./Maxim Inte
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
DS1230W-100IND+是集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。制造商Analog Devices Inc./Maxim Inte/Analog Devices Inc./Maxim Integrated生產(chǎn)封裝28-DIP 模塊(0.600 15.24mm)/28-DIP 模塊(0.600",15.24mm)的DS1230W-100IND+存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
DS1230W-100IND+
- 制造商:
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲(chǔ)器類型:
非易失
- 存儲(chǔ)器格式:
NVSRAM
- 技術(shù):
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存儲(chǔ)容量:
256Kb(32K x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
100ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
28-DIP 模塊(0.600",15.24mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
28-EDIP
- 描述:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
許小姐
- 手機(jī):
13530520535
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-83201583/83214703
- 傳真:
0755-22669259
- 地址:
福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室
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