DS1230Y-100+ 集成電路（IC）存儲器 AD/亞德諾

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廠家型號：
DS1230Y-100+
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ADI/Maxim
庫存數(shù)量：
2675
產(chǎn)品封裝：
28-DIP
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-9 16:34:00

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原廠料號：DS1230Y-100+品牌：ADI/Maxim

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DS1230Y-100+是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ADI/Maxim/Analog Devices Inc./Maxim Integrated生產(chǎn)封裝28-DIP/28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）的DS1230Y-100+存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
DS1230Y-100+
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
AD【亞德諾】詳情
廠商全稱：
Analog Devices
中文名稱：
亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
資料說明：
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
DS1230Y-100+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
管件
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
NVSRAM
技術(shù)：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量：
256Kb（32K x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
100ns
電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
供應(yīng)商器件封裝：
28-EDIP
描述：
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市水星電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
李先生
手機：
13632880560
詢價：
電話：
0755-89585609
地址：
深圳市龍崗區(qū)平湖街道禾花社區(qū)華南大道1號華南國際印刷紙品包裝物流區(qū)二期2號樓B1C177

DS1230Y-100+ 集成電路（IC）存儲器 AD/亞德諾

DS1230Y-100+

產(chǎn)品屬性

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