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DS_K7B803625B中文資料三星數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

DS_K7B803625B
廠商型號

DS_K7B803625B

功能描述

256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM

文件大小

439.74 Kbytes

頁面數(shù)量

19

生產廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-6 19:00:00

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DS_K7B803625B規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

The K7B803625B and K7B801825B are 9,437,184-bit Synchronous Static Random Access Memory designed for high performance second level cache of Pentium and Power PC based System.

FEATURES

? Synchronous Operation.

? On-Chip Address Counter.

? Self-Timed Write Cycle.

? On-Chip Address and Control Registers.

? 3.3V+0.165V/-0.165V Power Supply.

? I/O Supply Voltage 3.3V+0.165V/-0.165V for 3.3V I/O or 2.5V+0.4V/-0.125V for 2.5V I/O

? 5V Tolerant Inputs Except I/O Pins.

? Byte Writable Function.

? Global Write Enable Controls a full bus-width write.

? Power Down State via ZZ Signal.

? LBO Pin allows a choice of either a interleaved burst or a linear burst.

? Three Chip Enables for simple depth expansion with No Data Contention only for TQFP.

? Asynchronous Output Enable Control.

? ADSP, ADSC, ADV Burst Control Pins.

? TTL-Level Three-State Output.

? 100-TQFP-1420A

? Operating in commeical and industrial temperature range.

產品屬性

  • 型號:

    DS_K7B803625B

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Burst SRAM

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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