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F1129LB	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50Ω SE-In – 100Ω DIFF-Out Amplifier 3.0GHz to 4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
F1129LBEVB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：盒類別：開發(fā)板，套件，編程器射頻評(píng)估和開發(fā)套件，開發(fā)板描述：BOARD	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
F1129LBNELI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：12-WFQFN 裸露焊盤類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器描述：VFQFPN 2.00X2.00X0.75 MM, 0.50MM	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
F1129LBNELI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：12-WFQFN 裸露焊盤類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器描述：VFQFPN 2.00X2.00X0.75 MM, 0.50MM	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
F1129MB	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
F1129MBEVB	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
F1129MBNELI	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50ΩSE-In–100ΩDIFF-OutAmplifier3.0GHzto4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
GP1129	文件：83.19 Kbytes Page：1 Pages	U.S.ELECTRICALDIVISIONMANCHESTER,NH03108	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
HAT1129R	文件：2.12619 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
HTT1129E	文件：280.41 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor Features ?Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HTT1129EZTL-E	文件：280.41 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNPNEpitaxialTwinTransistor Features ?Include2transistorsinasmallsizeSMDpackage:EMFPAK–6(6Leads:1.2x0.8x0.5mm)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
ISF1129	文件：349.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION ·AvalancheRated ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=230mΩ(Max)@VGS=10V ·100%avalanchetested APPLICATIONS ·HighPowerDensity ·EasytoMount ·SpaceSavings	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
LT1129	文件：251.63 Kbytes Page：18 Pages	3A,5A,7.5ALowDropoutPositiveFixedRegulators Features -Three-Terminal3.3V,3.6V,5Vand12V -OutputCurrentof3A,5Aor7.5A -OperatesDownto1VDropout -GuaranteedDropoutVoltageatMultipleCurrentLevels -LineRegulation:0.015 -LoadRegulation:0.1 -100ThermalLimitFunctionalTest -AdjustableVersionsAvailable	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LT1129	文件：193.79 Kbytes Page：12 Pages	LowDropoutNegativeMicropowerRegulatorinThinSOT	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LT1129	文件：175.19 Kbytes Page：16 Pages	MicropowerLowDropoutRegulatorswithShutdown	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
LT1129	文件：192.78 Kbytes Page：16 Pages	100mA,LowVoltage,VeryLowDropoutLinearRegulator	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LT1129	文件：160.23 Kbytes Page：16 Pages	400mVDropoutVoltage	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LT1129	文件：195.18 Kbytes Page：16 Pages	500mA,LowVoltage,VeryLowDropoutLinearRegulator	LINEAR_DIMENSIONS Linear Dimensions Semiconductor	LINEAR_DIMENSIONS
LT1129	文件：232.91 Kbytes Page：20 Pages	250mA,4Vto80VLowDropoutMicropowerLinearRegulatorwithPWRGD	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER
LT1129	文件：208.36 Kbytes Page：16 Pages	1.1A,LowNoise,LowDropoutLinearRegulator	LINERLinear Technology 凌力爾特凌特半導(dǎo)體	LINER

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艾睿國(guó)際（香港）有限公司	F1129LBNELI	RENESAS(瑞薩)/IDT	2117+	VFQFPN-12(2x2)	315000	nan一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單	詢價(jià)
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北京京北通宇電子元件有限公司	F1129LBNELI8	RENESAS	23+	NA	17613	射頻放大器	詢價(jià)
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更多F1129LB供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-16 11:00:00

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