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F21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	Low input capacitance and gate charge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STB21NM60N	文件：345.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.22Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STB21NM60N	文件：562.69 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V-0.17廓-17ATO-220-TO-220FP-D2PAK-I2PAK-TO-247secondgenerationMDmesh??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
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STB21NM60ND	文件：545.74 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.17廓,17AFDmesh??IIPowerMOSFETD2PAK,I2PAK,TO-220FP,TO-220,TO-247 Description TheFDmesh?IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedonresistanceandfastswitchingwithanintrinsicfastrecoverybodyd	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
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更多F21NM60ND供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-16 8:18:00

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