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STB21NM60N	文件：345.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.22Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STB21NM60N	文件：672.14 Kbytes Page：16 Pages	N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STB21NM60N	文件：562.69 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600 V - 0.17 廓 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh??Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STB21NM60ND	文件：545.74 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600 V, 0.17 廓, 17 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Description TheFDmesh?IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedonresistanceandfastswitchingwithanintrinsicfastrecoverybodyd	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STB21NM60N-	文件：562.69 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600 V - 0.17 廓 - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh??Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STB21NM60N-1	文件：672.14 Kbytes Page：16 Pages	N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STB21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600 V, 0.17 廓, 17 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STB21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	Low input capacitance and gate charge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STB21NM60ND	文件：316.08 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STB21NM60ND_09	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600 V, 0.17 廓, 17 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STF21NM60N	文件：562.69 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V-0.17廓-17ATO-220-TO-220FP-D2PAK-I2PAK-TO-247secondgenerationMDmesh??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STF21NM60N	文件：672.14 Kbytes Page：16 Pages	N-CHANNEL600V-0.19Ohm-17ATO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247SECONDGENERATIONMDmeshMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STF21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.17廓,17AFDmesh??IIPowerMOSFETD2PAK,I2PAK,TO-220FP,TO-220,TO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STF21NM60ND	文件：303.34 Kbytes Page：3 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STF21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	Lowinputcapacitanceandgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STI21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	Lowinputcapacitanceandgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STI21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.17廓,17AFDmesh??IIPowerMOSFETD2PAK,I2PAK,TO-220FP,TO-220,TO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STI21NM60ND	文件：545.74 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.17廓,17AFDmesh??IIPowerMOSFETD2PAK,I2PAK,TO-220FP,TO-220,TO-247 Description TheFDmesh?IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedonresistanceandfastswitchingwithanintrinsicfastrecoverybodyd	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
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STP21NM60N	文件：562.69 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V-0.17廓-17ATO-220-TO-220FP-D2PAK-I2PAK-TO-247secondgenerationMDmesh??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
STB21NM60N
功能描述：
MOSFET N-Ch 600 V 0.19 Ohm 17 A 2nd Gen MDmesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市昂芯微科技有限公司	STB21NM60N	ST	23+	TO263	6996	只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	STB21NM60N	ST/意法	24+	TO-263	504141	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	STB21NM60N	ST	2016+	TO-251	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	STB21NM60N	STMicro.	23+	D2PAK	7750	全新原裝優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	STB21NM60N	ST	16+	08+	1	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	STB21NM60N	ST	23+	TO-263	8795		詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	STB21NM60N	ST	24+	TO-263	7500		詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	STB21NM60N	ST	2020+	TO220	100	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
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深圳市納艾斯科技有限公司	STB21NM60N	ST	2020+	TO220	80000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增	詢價(jià)

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