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STB34NM60N

Low gate input resistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STB34NM60N

Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STB34NM60ND

N-channel 600 V, 0.097 Ohm typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STB34NM60ND

Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STF34NM60N

N-channel600V,0.092廓,29AMDmesh??IIPowerMOSFETTO-220,TO-247,TO-220FP

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STF34NM60ND

N-channel600V,0.097Ohmtyp.,29AFDmeshIIPowerMOSFET(withfastdiode)inD2PAK,TO-220FP,TO-220andTO-247

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STF34NM60ND

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STFI34NM60N

N-channel600V,0.092,31.5AMDmeshIIPowerMOSFETinaPAKFPpackage

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STP34NM60N

N-channel600V,0.092廓,29AMDmesh??IIPowerMOSFETTO-220,TO-247,TO-220FP

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STP34NM60N

Lowgateinputresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    STB34NM60N

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST/意法半導體
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更多STB34NM60N供應商 更新時間2025-3-26 8:30:00

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