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STB21NM60ND	文件：545.74 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600 V, 0.17 廓, 17 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Description TheFDmesh?IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedonresistanceandfastswitchingwithanintrinsicfastrecoverybodyd	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STB21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600 V, 0.17 廓, 17 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STB21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	Low input capacitance and gate charge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STB21NM60ND	文件：316.08 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STB21NM60ND_09	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 600 V, 0.17 廓, 17 A FDmesh??II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STF21NM60N	文件：318.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.22Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STF21NM60N	文件：562.69 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V-0.17廓-17ATO-220-TO-220FP-D2PAK-I2PAK-TO-247secondgenerationMDmesh??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STF21NM60N	文件：672.14 Kbytes Page：16 Pages	N-CHANNEL600V-0.19Ohm-17ATO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247SECONDGENERATIONMDmeshMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STF21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.17廓,17AFDmesh??IIPowerMOSFETD2PAK,I2PAK,TO-220FP,TO-220,TO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STF21NM60ND	文件：303.34 Kbytes Page：3 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STF21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	Lowinputcapacitanceandgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STI21NM60N	文件：281.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.22Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STI21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	Lowinputcapacitanceandgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STI21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.17廓,17AFDmesh??IIPowerMOSFETD2PAK,I2PAK,TO-220FP,TO-220,TO-247	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STI21NM60ND	文件：545.74 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V,0.17廓,17AFDmesh??IIPowerMOSFETD2PAK,I2PAK,TO-220FP,TO-220,TO-247 Description TheFDmesh?IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedonresistanceandfastswitchingwithanintrinsicfastrecoverybodyd	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STP21NM60N	文件：372.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.22Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
STP21NM60N	文件：672.14 Kbytes Page：16 Pages	N-CHANNEL600V-0.19Ohm-17ATO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247SECONDGENERATIONMDmeshMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STP21NM60N	文件：562.69 Kbytes Page：18 Pages	N-channel600V-0.17廓-17ATO-220-TO-220FP-D2PAK-I2PAK-TO-247secondgenerationMDmesh??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STP21NM60ND	文件：559.02 Kbytes Page：18 Pages	Lowinputcapacitanceandgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STP21NM60ND	文件：291.11 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
STB21NM60ND
功能描述：
MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團有限公司	STB21NM60ND	ST/意法	21+	NA	7000	只做原裝,假一罰十	詢價
深圳市安博威科技有限公司	STB21NM60ND	STM	21+	TO-263-3 (D2PAK)	7000	原裝正品有掛有貨	詢價
深圳市坤融電子科技有限公司	STB21NM60ND	ST/意法	24+	TO-263	400	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市華高宇電子有限公司	STB21NM60ND	STM	19+		7000	TO-263-3 (D2PAK)	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	STB21NM60ND	STM	23+	TO-263-3 (D2PAK)	4000	原裝現(xiàn)貨支持送檢	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	STB21NM60ND	ST/意法	24+	TO-263	504140	免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	STB21NM60ND	STMicro.	23+	D2PAK	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價
深圳市弘為電子有限公司	STB21NM60ND	ST	16+	07+	1	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	STB21NM60ND	ST	24+	TO-263	7500		詢價
深圳市海天鴻電子科技有限公司	STB21NM60ND	ST	1651+	?	7500	只做原裝進口,假一罰十	詢價

更多STB21NM60ND供應(yīng)商更新時間2024-12-21 17:24:00

詳細(xì)參數(shù)

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