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F306	文件：202.97 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS 3.2x2.5mm 1.0 V SMD Oscillator	FOX Fox Electronics	FOX
F306R	文件：202.97 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS 3.2x2.5mm 1.0 V SMD Oscillator	FOX Fox Electronics	FOX
FDB306	文件：256.829 Kbytes Page：1 Pages	3AMPFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIERS	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
FDD306P	文件：505.64 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VSpecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement. Features ■–6.7A,–12V.RDS(ON)=28m?@VGS=–4.5VRDS(ON)=41m?@VGS=–2.5VRDS(ON)=90m?@VGS=–1.8V ■Fast	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDD306P	文件：679.42 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=-30V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDN306	文件：342.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8V(D-S)MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETuses Fairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement applications. Applications ?Batterymanagement ?Loadswitch ?Batteryprotection Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
FDN306P	文件：144.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)=40m?@VGS=–4.5VRDS(ON)=50m?@VGS=–2.5VRDS(ON)=80m?@VGS=–	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDN306P	文件：1.00134 Mbytes Page：3 Pages	SingleP-ChannelPowerTrenchMOSFET	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
FDN306P	文件：468.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8V(D-S)MOSFET Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)=40mΩ@VGS=–4.5V RDS(ON)=50mΩ@VGS=–2.5V RDS(ON)=80mΩ@VGS=–1.8V ?Fastswitchingspeed ?Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) ?SuperSOTTM-3provideslowRDS(ON)and30higher powerhandlingcapabilitythanSOT	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
FDN306P	文件：342.58 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8V(D-S)MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel1.8VspecifiedMOSFETuses Fairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess. Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagement applications. Applications ?Batterymanagement ?Loadswitch ?Batteryprotection Features ?–2.6A,–12V.RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
FDN306P-NL	文件：1.039829 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
FFM306	文件：24.18 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYSILICONRECTIFIER(VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT3.0Amperes)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FFM306	文件：69.8 Kbytes Page：2 Pages	Fastrecoverytype 3.0ASurfaceMountFastRecoveryRectifiers-50-1000V Features ?Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. ?Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. ?Highcurrentcapability. ?Fastswitchi	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
FFM306	文件：82.53 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountFastRecoveryRectifiers Features: PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassication94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
FFM306	文件：316.388 Kbytes Page：2 Pages	3A800VFastrecoverydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
FFM306	文件：316.388 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
FFM306	文件：90.59 Kbytes Page：2 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
FFM306	文件：97.95 Kbytes Page：7 Pages	ChipFastRecoveryRectifiers	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
FFM306	文件：314.44 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●FastRecoveryTimeforHighEfficiency ●LowForwardVoltageDropandHighCurrentCapability ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
FFM306	文件：90.59 Kbytes Page：2 Pages	Fastrecoverytype	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
F306
制造商：
Ohmite Mfg Co

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳誠(chéng)思涵科技有限公司	F3069TE25V	HITACHI	16+	TQFP	2500	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!	詢價(jià)
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中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	F3062F25V	RENESAS/瑞薩	20+	QFP100	35830	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	F3062F25V	RENESAS	2023+	QFP100	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
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更多F306供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 15:13:00

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