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FDP120N10	文件：328.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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HRP120N10K	文件：1.51899 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
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HRS120N10K	文件：1.61864 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
IXUC120N10	文件：56.7 Kbytes Page：2 Pages	TrenchPowerMOSFETISOPLUS220 TrenchPowerMOSFETISOPLUS220TMElectricallyIsolatedBackSurface Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?TrenchMOSFET -verylowRDS(on) -fastswitching -usabl	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MSL120N10G	文件：1.95187 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
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