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FDP61N20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=41mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDP61N20

DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION

Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDP61N20

200VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

KSM61N20

200VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

TS61N20CXRF

VoltageDetector

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司

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更多FDPF61N20供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 17:53:00

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