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FGH40T65SQD_F155

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:650V FS4 TRENCH IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGH40T65SQD-F155

Marking:FGH40T65SQD;Package:TO-247-3LD;IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 40 A

Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop4thgenerationIGBTsoffertheoptimum performanceforsolarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFC applicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?MaxJuncti

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGH40T65SQD-F155

Package:TO-247-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FGH40T65SQD_F155

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,40A

  • 開關(guān)能量:

    138μJ(開),52μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    16.4ns/86.4ns

  • 測試條件:

    400V,10A,6 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    650V FS4 TRENCH IGBT

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FGH40T65SQD_F155供應(yīng)商 更新時間2025-3-12 17:39:00