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FGH40T65UPD

Field-Stop Trench IGBT

DESCRIPTION ·HighInputImpedance ·HighCurrentCapabilityt ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.65V(Typ.)@IC=40A APPLICATIONS ·SolarInverter,UPS,Welder,DigitalPowerGenerator ·Telecom,ESS

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FGH40T65UPD

650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGH40T65UPD

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGH40T65UQDF

FieldStopTrenchIGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGHL40T65LQDT

FieldStopTrenchIGBT40A,650V

Fieldstop4thgenerationLowVCE(Sat)IGBTtechnologyandFull currentratedcopakDiodetechnology. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C ?PositiveTemperatureCo?efficientforEasyParallelOperating ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(Sat)=1.15V(Typ

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGHL40T65MQD

FieldStopTrenchIGBT650V,40A

Fieldstop4thgenerationmidspeedIGBTtechnologyandfull currentratedcopakDiodetechnology. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C ?PositiveTemperatureCo?efficientforEasyParallelOperating ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.45V(Typ.)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGHL40T65MQDT

FieldStopTrenchIGBT650V,40A

Fieldstop4thgenerationmidspeedIGBTtechnologycopacked withfullratedcurrentdiode. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C ?PositiveTemperatureCo?efficientforEasyParallelOperating ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(Sat)=1.45V(Typ.)@IC=

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBQ40T65FDSC

650VFieldStopIGBT

GeneralDescription ThisIGBTisproducedusingadvancedMagnaChip’sField StopTrenchIGBTTechnology,whichprovideshighswitching seriesandexcellentquality. ThisdeviceisforPFC,UPS&Inverterapplications. Features ?HighSpeedSwitching&LowPowerLoss ?V=1.95V@I=40A

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MBQ40T65FDSCTH

650VFieldStopIGBT

GeneralDescription ThisIGBTisproducedusingadvancedMagnaChip’sField StopTrenchIGBTTechnology,whichprovideshighswitching seriesandexcellentquality. ThisdeviceisforPFC,UPS&Inverterapplications. Features ?HighSpeedSwitching&LowPowerLoss ?V=1.95V@I=40A

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MBQ40T65FESC

650VFieldStopIGBT

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FGH40T65UPD

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，40A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.59mJ（開(kāi)），580μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    20ns/144ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，40A，7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
TO-247
1224
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
ONSemiconductor
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
 詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價(jià)
FCS
20+
TO-2473L
36900
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
ON/安森美
24+
TO-247-3
25500
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價(jià)銷售
 詢價(jià)
Fairchild
1930+
N/A
345
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物
 詢價(jià)
ON
2447
SMD
100500
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨
 詢價(jià)
FSC
21+
TO-247
171
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
ON
1809+
TO247-3
1675
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
更多FGH40T65UPD供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-11 14:52:00

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