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FGH60T65SHD-F155

IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 60 A

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FGH60T65SHD-F155

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    FGH60T65SHD-F155

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，60A

  • 開關能量：

    1.69mJ（開），630μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    26ns/87ns

  • 測試條件：

    400V，60A，6 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FGH60T65SHD_F155供應商 更新時間2024-11-6 16:07:00

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