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FGH75N60SFTU	文件：686.2 Kbytes Page：8 Pages	600V, 75A Field Stop IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGH75N60UF	文件：264.59 Kbytes Page：8 Pages	600V,75AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGH75N60UFTU	文件：264.59 Kbytes Page：8 Pages	600V,75AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGW75N60H	文件：578.53 Kbytes Page：6 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/75A	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
FGW75N60HD	文件：639.46 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/75A	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
FGY75N60SMD	文件：432.19 Kbytes Page：10 Pages	600V,75AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IGW75N60T	文件：289.57 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSwitchingLosses ·LowVCE(ON) ·UltraLowLeakageCurrent APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·IndustrialDrives ·SolarInverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IGW75N60T	文件：377.79 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGW75N60T	文件：403.33 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IKFW75N60ET	文件：2.01717 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTMIGBTcopackedwithRapid1fastandsoftantiparalleldiodeinfullyisolatedpackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW75N60T	文件：33.13 Kbytes Page：1 Pages	MaterialContentDataSheet	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW75N60T	文件：411.47 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW75N60T	文件：411.41 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOP?andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode ●VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ●MaximumJunctionTemperature175°C ●Shortcircuitwithstandtime5?s ●PositivetemperaturecoefficientinVCE(sat) ●verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW75N60TA	文件：1.00395 Mbytes Page：13 Pages	DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW75N60TFK	文件：330.08 Kbytes Page：3 Pages	TrenchgateField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=75A ·HighSpeedSwitching ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·IndustrialDrives ·SolarInverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXKN75N60	文件：70.97 Kbytes Page：3 Pages	CoolMOSPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXKN75N60C	文件：70.97 Kbytes Page：3 Pages	CoolMOSPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
KGF75N60KDB	文件：1.56478 Mbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
RM75N60ALD	文件：581.06 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=75A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
FGH75N60SFTU
功能描述：
IGBT 晶體管 N-CH/75A 600V FS Planar
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多FGH75N60SFTU供應(yīng)商更新時間2025-1-15 16:30:00

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