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FGHL50T65MQD分立半導體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGHL50T65MQD
廠商型號

FGHL50T65MQD

參數(shù)屬性

FGHL50T65MQD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 50A TO247

功能描述

Field Stop Trench IGBT 650 V, 50 A
IGBT 650V 50A TO247

文件大小

338.55 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-11-17 14:00:00

FGHL50T65MQD規(guī)格書詳情

Field stop 4th generation mid speed IGBT technology and full

current rated copak Diode technology.

Features

? Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C

? Positive Temperature Co?efficient for Easy Parallel Operating

? High Current Capability

? Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.45 V (Typ.) @ IC = 50 A

? 100% of the Parts are Tested for ILM (Note 2)

? Smooth & Optimized Switching

? Tight Parameter Distribution

? RoHS Compliant

Typical Applications

? Solar Inverter

? UPS, ESS

? PFC, Converters

FGHL50T65MQD屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。安森美半導體公司制造生產(chǎn)的FGHL50T65MQD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FGHL50T65MQD

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    1.05mJ(開),700μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    23ns/120ns

  • 測試條件:

    400V,50A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 650V 50A TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
2023
NA
15750
原廠代理渠道,正品保障
詢價
onsemi
23+
TO-247-3
6798
確保原裝正品,專注終端客戶一站式BOM配單
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ON/安森美
21+
TO-247
2000
原裝正品
詢價
24+
N/A
53000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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ON
24+
TO-247-3LD
25000
ON全系列可訂貨
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ON(安森美)
2117+
TO-247-3
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21+
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3000
進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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21+
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ON(安森美)
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