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FGP30N6S2D 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體
- 詳細信息
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原廠料號:FGP30N6S2D品牌:onsemi
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
FGP30N6S2D是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi生產(chǎn)封裝TO-220-3的FGP30N6S2D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
FGP30N6S2D
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,12A
- 開關能量:
55μJ(開),100μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
6ns/40ns
- 測試條件:
390V,12A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應商器件封裝:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 600V 45A 167W TO220AB
供應商
- 企業(yè):
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
許小姐
- 手機:
13530520535
- 詢價:
- 電話:
0755-83201583/83214703
- 傳真:
0755-22669259
- 地址:
福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室
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