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G50N60F

InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

G50N60HS

HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh

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LowLossIGBTinTrenchStoptechnology

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LOWLOSSIGBTINTRENCHANDFIELDSTOPTECHNOLOGY

LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime–5μs ?Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply ?TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplications

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更多FGW50N60WQ供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 16:12:00