首頁(yè)>FGY75T120SWD_V01>規(guī)格書(shū)詳情
FGY75T120SWD_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
廠商型號(hào) |
FGY75T120SWD_V01 |
功能描述 | IGBT – Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII (FS7), Non SCR, Power TO247-3L, 1200V, 1.7V, 75A |
文件大小 |
331.9 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱(chēng) | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-11-5 17:48:00 |
相關(guān)芯片規(guī)格書(shū)
更多FGY75T120SWD_V01規(guī)格書(shū)詳情
Description
Using the novel field stop 7th generation IGBT technology and the
Gen7 Diode in TO247 3?lead package, FGY75T120SWD offers the
optimum performance with low switching and conduction losses for
high?efficiency operations in various applications like Solar, UPS and
ESS.
Features
? Maximum Junction Temperature ? TJ = 175°C
? Positive Temperature Coefficient for Easy Parallel Operation
? High Current Capability
? Smooth and Optimized Switching
? Low Switching Loss
? RoHS Compliant
Applications
? Boost and Inverter in Solar System
? UPS
? Energy Storage System
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
ONN |
2405+ |
原廠封裝 |
300 |
只做原裝優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存 渠道可追溯 |
詢(xún)價(jià) | ||
ON(安森美) |
23+ |
TO-247-3 |
16457 |
公司只做原裝正品,假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
FUJI |
23+ |
Tray |
500 |
原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO247 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢(xún)價(jià) | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷(xiāo),現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢(xún)價(jià) | ||
飛虹 |
22+ |
TO-3PN/TO-247 |
50000 |
飛虹原廠渠道,技術(shù)支持 |
詢(xún)價(jià) | ||
FUJI |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢(xún)價(jià) | ||
ON(安森美) |
2112+ |
TO-252-3 |
115000 |
450個(gè)/管一級(jí)代理專(zhuān)營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期 |
詢(xún)價(jià) | ||
FUJI |
2023 |
NA |
2580 |
原廠代理渠道,正品保障 |
詢(xún)價(jià) |