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FMI12N50ES	文件：568 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FML12N50ES	文件：479.99 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMP12N50E	文件：515.25 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMP12N50ES	文件：539.33 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMV12N50E	文件：445.95 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FMV12N50E	文件：313.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FMV12N50ES	文件：546.94 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
FQB12N50	文件：438.39 Kbytes Page：8 Pages	OptimizedSwitchforDiscontinuousCurrentModePowerFactorCorrection	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQB12N50	文件：617.23 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQI12N50	文件：617.23 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFBL12N50A	文件：123.49 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFA12N50P	文件：150.99 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiperFET Polar?PowerMOSFETHiperFET? N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA12N50P	文件：332.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFH12N50	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH12N50F	文件：303.26 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRFPowerMOSFETsF-Class:MegaHertzSwitching HiPerRF?PowerMOSFETs F-Class:MegaHertzSwitching	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH12N50F	文件：372.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFM12N50	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP12N50	文件：295.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=500mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP12N50P	文件：150.99 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiperFET Polar?PowerMOSFETHiperFET? N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP12N50PM	文件：114.99 Kbytes Page：5 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET Polar?PowerMOSFETHiPerFET?(ElectricallyIsolatedTab) N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ?Plasticovermoldedtabforelectricalisolation ?Internationalstandardpackage ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance-easyt	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FMI12N50ES
制造商：
FUJI
制造商全稱：
Fuji Electric
功能描述：
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	FMI12N50ES	F	23+	T-PACK(L)	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	FMI12N50ES	F	22+	T-PACK(L)	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市賽美科科技有限公司	FMI12N50ES	FUJI		原廠封裝	1000	一級(jí)代理原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長期供貨	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	FMI12N50ES	F	22+	T-PACK(L)	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市星辰微電科技有限公司	FMI12N50ES	FUJI/富士電機(jī)	23+	N/A	11550	FUJI/富士電機(jī)系列在售	詢價(jià)
深圳市芯皇電子有限公司	FMI12N50ES	FUJI/富士電機(jī)	23+	N/A	9000	專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu)	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	FMI12N60ES	FUJI/富士電機(jī)	23+	TO262	28888	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	FMI13N60E	原廠	23+	TO-220	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	FMI13N60E	FUJI	23+	TO-220	8890	價(jià)格優(yōu)勢(shì)/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢	詢價(jià)
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司	FMI13N60E	FUJITSU/富士通	18+	TO-220	19236	全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票	詢價(jià)

更多FMI12N50ES供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 14:30:00

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