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FNB81060T3

Marking：FNB81060T3；Package：SPMFA-A25；Motion SPM 8 Series

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FNB81560T3

Motion SPM 8 Series

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FNB000003

Package：4-SMD，無引線；包裝：卷帶（TR） 功能：啟用/禁用 類別：晶體，振蕩器，諧振器 振蕩器 描述：XTAL OSC XO 110.0000MHZ CMOS SMD

PAM

Diodes Incorporated

FNB33060T

Package：27-PowerDIP 模塊（1.205"，30.60mm）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 功率驅(qū)動器模塊 描述：MODULE SPM 600V 30A SPM27

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FNB34060T

Package：27-PowerDIP 模塊（1.205"，30.60mm）；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 功率驅(qū)動器模塊 描述：PWR DRVR MOD 600V 40A 27PWRDIP

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FNB

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 Smart Power Module Motion-SPM

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

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更多FNB供應(yīng)商 更新時間2025-4-21 16:30:00

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