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FNB51060TD1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊規(guī)格書PDF中文資料

FNB51060TD1
廠商型號(hào)

FNB51060TD1
參數(shù)屬性

FNB51060TD1 封裝/外殼為20-PowerDIP 模塊（1.220"，31.00mm）；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊；產(chǎn)品描述：MODULE SPM 600V 10A 20PWRDIP
功能描述

Motion SPM 55 Series
MODULE SPM 600V 10A 20PWRDIP
絲印標(biāo)識(shí)

FNB51060TD1
封裝外殼

SPMFA-A20 / 20-PowerDIP 模塊（1.220"，31.00mm）
文件大小

598.46 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-27 23:00:00

FNB51060TD1規(guī)格書詳情

FNB51060TD1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FNB51060TD1功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件（通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET）提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上，后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度，并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FNB51060TD1

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊

  • 系列：

    Motion SPM? 55

  • 包裝：

    管件

  • 類型：

    IGBT

  • 配置：

    三相反相器

  • 電壓 - 隔離：

    1500Vrms

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    20-PowerDIP 模塊（1.220"，31.00mm）

  • 描述：

    MODULE SPM 600V 10A 20PWRDIP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
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DIP20
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