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IRF530

PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.16ohm,Id=14A)

IRF

International Rectifier

IRF530

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF530

N??hannelEnhancement??odeSiliconGate

TMOSE?FET.?PowerFieldEffectTransistor N?ChannelEnhancement?ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain?to?sourcediodewithafastrecoverytime.Designedfo

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

IRF530

14.0A100VNCHANNELPOWERMOSFET

FCIFirst Components International

戈采戈采企業(yè)股份有限公司

IRF530

14A,100V,0.160Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF530

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF530

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

IRF530

PowerMOSFET

FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?175°Coperatingtemperature ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRF530

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRF530

TO-220-3LPlastic-EncapsulateMOSFETS

FEATURES LowRDS(on) VGSRatedat ± 20V SiliconGateforFastSwitchingSpeed Rugged LowDriveRequirements DESCRITION Designedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications, suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDC motorcontrols,relayandsolenoiddrivers.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FPN530

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 100mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 100mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    150MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-226-3，TO-92-3 長體

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-226

  • 描述：

    TRANS NPN 30V 3A TO226

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
FAIRCHILD
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NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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ON Semiconductor
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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正品原裝貨價(jià)格低
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TO-226-3 TO-92-3 長體
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
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仙童
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TO-92L
1000
詢價(jià)
更多FPN530供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-24 16:41:00

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