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FQP70N08	文件：667.31 Kbytes Page：8 Pages	80V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP70N08	文件：296.6 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.017Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
70N08	文件：666.43 Kbytes Page：8 Pages	80VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
BR70N08	文件：1.25143 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
BRD70N08	文件：898.41 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
EMB70N08A	文件：231.01 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB70N08C	文件：181.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS80V RDSON(MAX.)65mΩ ID15A UIS,100Tested Pb-FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB70N08CS	文件：229.68 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS80V RDSON(MAX.)65mΩ ID15A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB70N08G	文件：183.94 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB70N08V	文件：194.03 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FQA70N08	文件：369.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=77.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=17mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQA70N08	文件：666.43 Kbytes Page：8 Pages	80VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQAF70N08	文件：662.69 Kbytes Page：8 Pages	80VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQAF70N08	文件：329.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=53.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.017Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQB70N08	文件：244.95 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQB70N08	文件：672.71 Kbytes Page：9 Pages	80VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQB70N08	文件：678.18 Kbytes Page：9 Pages	FQB70N08/FQI70N0880VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQB70N08TM	文件：678.18 Kbytes Page：9 Pages	FQB70N08/FQI70N0880VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQI70N08	文件：678.18 Kbytes Page：9 Pages	FQB70N08/FQI70N0880VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQI70N08	文件：672.71 Kbytes Page：9 Pages	80VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild

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詳細參數(shù)

型號：
FQP70N08
功能描述：
MOSFET 80V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQP70N08	onsemi(安森美)	23+	TO-220	8498	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市星佑電子有限公司	FQP70N08	仙童	05+	TO-220	5000	原裝進口	詢價
深圳市勤思達科技有限公司	FQP70N08	FAIRCHIL	2015+	TO-220	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應	詢價
深圳市一線半導體有限公司	FQP70N08	FAIRCHILD	24+	TO-220	8866		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	FQP70N08	FAIRCHIL	23+	TO-220	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市恒創(chuàng)達實業(yè)有限公司	FQP70N08	FSC	17+	TO-220	6200		詢價
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深圳市鼎盛源芯科技有限公司	FQP70N08	harris	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應,歡迎來電咨詢	詢價
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更多FQP70N08供應商更新時間2024-12-22 16:12:00

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