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FQPF10N20L	文件：569.5 Kbytes Page：8 Pages	200V LOGIC N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?6.8A,200V,RDS(on)=0.36?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical13nC) ?LowCrss(typical14pF) ?Fa	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU10N20	文件：787.25 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?7.8A,200V,RDS(on)=0.36?(Max.)@VGS=10V ?LowGateCharge(Typ.13.5nC) ?LowCrss(Typ.13pF)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU10N20	文件：331.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU10N20	文件：788.66 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU10N20C	文件：330.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU10N20C	文件：549.66 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?7.8A,200V,RDS(on)=360m?(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A ?LowGateCharge(Typ.20nC) ?LowCrss(Typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU10N20C	文件：1.28335 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET200V,7.8A,360mOhm GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?7.8A,200V,RDS(on)=360m?(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A ?LowGateCharge(Typ.20nC) ?LowCrss(Typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU10N20C	文件：589.53 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?7.8A,200V,RDS(on)=360m?(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A ?LowGateCharge(Typ.20nC) ?LowCrss(Typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU10N20CTU	文件：549.66 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?7.8A,200V,RDS(on)=360m?(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A ?LowGateCharge(Typ.20nC) ?LowCrss(Typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU10N20CTU	文件：342.91 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU10N20L	文件：330.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU10N20L	文件：937.15 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU10N20L	文件：576.23 Kbytes Page：9 Pages	200VLOGICN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KEMD10N20C	文件：2.32825 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET200V,7.8A,360m	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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詳細參數(shù)

型號：
FQPF10N20L
制造商：
FAIRCHILD
制造商全稱：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
200V LOGIC N-Channel MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	FQPF10N20L	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	FQPF10N20功率三極管	FAIRCHILD/仙童	23+	TO220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳廊盛科技有限公司	FQPF10N20功率三極管	FAIRCHILD/仙童	2022	TO220F	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
深圳市科芯源微電子有限公司	FQPF10N20功率三極管	FAIRCHILD/仙童	24+	TO220F	58000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費!	詢價
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	FQPF10N50C	FAIRCHILD	19+	TO-220F	71820	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	FQPF10N50C	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
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更多FQPF10N20L供應(yīng)商更新時間2024-12-31 17:01:00

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