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FSB660A 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):FSB660A品牌:onsemi
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
FSB660A是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。制造商onsemi生產(chǎn)封裝TO-236-3,SC-59,SOT-23-3/TO-236-3,SC-59,SOT-23-3的FSB660A晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
FSB660A
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
300mV @ 200mA,2A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
250 @ 500mA,2V
- 頻率 - 躍遷:
75MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
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