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FTP-634MCL	文件：207.24 Kbytes Page：3 Pages	THERMO-SENSITIVE PAPER	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式會(huì)社	Fujitsu
HFP634	文件：727.44 Kbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS634	文件：779.81 Kbytes Page：7 Pages	250VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HMC634	文件：291.03 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICDRIVERAMPLIFIER,5-20GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC634	文件：755.65 Kbytes Page：18 Pages	ACTIVEBIASCONTROLLER GeneralDescription HMC981isanactivebiascontrollerthatautomaticallyadjuststhegatevoltageofanexternalamplifiertoachieveconstantbiascurrent.ItcanbeusedtobiasanyenhancementanddepletiontypeamplifiersoperatinginClass-AregimewithDrainvoltagesfrom4Vto12Vanddr	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC634	文件：329.05 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICDRIVERAMPLIFIER,5-20GHz	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
HMC634	文件：1.19059 Mbytes Page：22 Pages	ActiveBiasControllerHighCurrent	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
HMC-APH634	文件：187.65 Kbytes Page：6 Pages	GaAsHEMTMMICMEDIUMPOWERAMPLIFIER,81-86GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC-APH634	文件：628.88 Kbytes Page：6 Pages	GaAsHEMTMMICMEDIUMPOWERAMPLIFIER,81-86GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC-APH634	文件：247.1 Kbytes Page：6 Pages	GaAsHEMTMMICMEDIUMPOWERAMPLIFIER	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
HRL634W	文件：525.94 Kbytes Page：2 Pages	speciallydesignedforhighefficientdischargeapplication	CSB-BATTERYCSB Battery Co., Ltd. 希世比能源希世比能源科技股份有限公司	CSB-BATTERY
HSR-634WT	文件：27.35 Kbytes Page：1 Pages	PowerFormCSwitch	PIC PIC GmbH	PIC
IPM-C634	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪訊美國(guó)JDSU	JDSU
IPM-L634	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪訊美國(guó)JDSU	JDSU
IRC634	文件：228.28 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.45ohm,Id=8.1A) HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRC634PRF	文件：1.17673 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF634	文件：171.6 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.45ohm,Id=8.1A) Description ThirdInternationalRectifierfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?FastSwitching ?EaseofParalleli	IRF International Rectifier	IRF
IRF634	文件：333.68 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL250V-0.38ohm-8ATO-220/TO-220FPMESHOVERLAY??MOSFET Description UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY?process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformance.ThenewpatentedSTriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,makesitsuitableincovertersforli	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF634	文件：224.02 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=250V ?LowerRDS(ON):0.327?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF634	文件：1.54151 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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更多FTP-634MCL供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-17 15:00:00

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