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60N321

InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

HighPowerSwitchingApplications The4thGeneration ?FRDincludedbetweenemitterandcollector ?Enhancement-mode ?HighspeedIGBT:tf=0.25μs(typ.)(IC=60A) FRD:trr=0.8μs(typ.)(di/dt=?20A/μs) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.3V(typ.)(IC=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT60N321

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.3V@IC=10A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·AirConditioning ·UPS,PFC ·MotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

GT60N321

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

HighPowerSwitchingApplications The4thGeneration ?FRDincludedbetweenemitterandcollector ?Enhancement-mode ?HighspeedIGBT:tf=0.25μs(typ.)(IC=60A) FRD:trr=0.8μs(typ.)(di/dt=?20A/μs) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.3V(typ.)(IC=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
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更多G60N321供應(yīng)商 更新時間2025-2-10 11:10:00

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