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GA10JT12-263分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
GA10JT12-263 |
參數(shù)屬性 | GA10JT12-263 包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:TRANS SJT 1200V 25A |
功能描述 | Normally ??OFF Silicon Carbide Junction Transistor |
文件大小 |
913.3 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | GeneSiC Semiconductor, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
GENESIC |
中文名稱 | GeneSiC Semiconductor, Inc.官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-20 23:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
GA10JT12-263
- 制造商:
GeneSiC Semiconductor
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 包裝:
管件
- 技術:
SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
25A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):
120 毫歐 @ 10A
- 功率耗散(最大值):
170W(Tc)
- 工作溫度:
175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 描述:
TRANS SJT 1200V 25A
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TE Connectivity(美國泰科) |
23+ |
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GeneSiC Semiconductor |
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TE |
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