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GA10JT12-263分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

GA10JT12-263
廠商型號

GA10JT12-263

參數(shù)屬性

GA10JT12-263 包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:TRANS SJT 1200V 25A

功能描述

Normally ??OFF Silicon Carbide Junction Transistor

文件大小

913.3 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 GeneSiC Semiconductor, Inc.
企業(yè)簡稱

GENESIC

中文名稱

GeneSiC Semiconductor, Inc.官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-20 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    GA10JT12-263

  • 制造商:

    GeneSiC Semiconductor

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    管件

  • 技術:

    SiC(碳化硅結(jié)晶體管)

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    25A(Tc)

  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):

    120 毫歐 @ 10A

  • 功率耗散(最大值):

    170W(Tc)

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 描述:

    TRANS SJT 1200V 25A

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