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GAN140-650FBE中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GAN140-650FBE
廠商型號

GAN140-650FBE

功能描述

650 V, 140 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 5 mm x 6 mm package

文件大小

318.83 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-12-25 10:16:00

GAN140-650FBE規(guī)格書詳情

1. General description

The GAN140-650FBE is a general purpose 650 V, 140 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a

DFN 5 mm x 6 mm surface mount package. It is a normally-off e-mode device offering superior

performance.

2. Features and benefits

? Enhancement mode - normally-off power switch

? Ultra high frequency switching capability

? No body diode

? Low gate charge, low output charge

? Qualified for standard applications

? ESD protection

? RoHS, Pb-free, REACH-compliant

? High efficiency and high power density

? Low package inductance and low package resistance

3. Applications

? High power density and high efficiency power conversion

? AC-to-DC converters, totem pole PFC

? DC-to-DC converters

? Fast battery charging, mobile phone, laptop, tablet and USB type-C chargers

? Datacom and telecom (AC-to-DC and DC-to-DC) converters

? Motor drives

? Solar (PV) inverters

? Class D audio amplifiers, TV PSU and LED drivers

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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