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GAPM9926	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	Mini size of Discrete semiconductor elements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
GAPM9926C	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	Mini size of Discrete semiconductor elements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
GSS9926	文件：306.59 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GSS9926E	文件：299.29 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GT9926NW	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
GTC9926	文件：325.1 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GTC9926E	文件：363.27 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GTS9926	文件：334.32 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGTS9926providesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive *Lowdrivecurrent	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GTS9926E	文件：363.27 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGTS9926Eprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive Lowdrivecurrent Surfacemountpackage	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
H9926CS	文件：45.67 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H9926CTS	文件：44.8 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H9926S	文件：45.67 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H9926TS	文件：44.8 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
HM9926B	文件：491.38 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
JMTP9926A	文件：314.702 Kbytes Page：5 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KD9926	文件：984.39 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
KI9926A	文件：483.71 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
LM9926B	文件：569.86 Kbytes Page：3 Pages	20VDS竊??2VGS竊?A(ID)DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
LO9926B	文件：560.92 Kbytes Page：3 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
MAX9926	文件：348.79 Kbytes Page：23 Pages	VariableReluctanceSensorInterfaceswithDifferentialInputandAdaptivePeakThreshold	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
GAPM9926
功能描述：
Mini size of Discrete semiconductor elements

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳兆威電子有限公司	GAPM9926	SINYORK	23+	SO-8	45000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	GAPM9926	SINYORK	23+	SO-8	121212	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市盈宏半導(dǎo)體科技有限公司	GAPR19193.1	XX	13+PB	QFP	46	剛到現(xiàn)貨加微13425146986	詢價(jià)
深圳市正納電子有限公司	GAPSLM31.23-FUGQ-23-1-100-R18	OSRAM OPTO	23+	NA	6000	原裝現(xiàn)貨庫(kù)存特價(jià)/長(zhǎng)期供應(yīng)元器件代理經(jīng)銷	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	GAPSLM31.23-FUGQ-23-1-100-R18	OSRAM/歐司朗	24+	LED	6000	絕對(duì)原廠原裝,長(zhǎng)期優(yōu)勢(shì)可定貨	詢價(jià)
深圳市顯勝光電科技有限公司	GAPSLM31.23-FUGQ-23-1-100-R18	OSRAM			20000		詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	GAPSLM31.23-GQGS-23-1-100-R18	OSRAM(歐司朗)	23+	SMD	7350	現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	GAPSLM31.23-GQGS-23-1-100-R18		24+	N/A	48000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	GAPSLR31.13	OSRAM/歐司朗	2019+	LED	600000	原裝正品,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)。	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	GAPSLR31.13-HUJQ-A1A2-1	OSRAM	2010+	N/A	819	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢價(jià)

更多GAPM9926供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 17:10:00

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