首頁>GT10J312(Q)>芯片詳情

GT10J312 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 TOSHIBA/東芝

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    GT10J312

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA/東芝

  • 庫存數(shù)量：

    32500

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    20+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-28 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：GT10J312品牌：TOSHIBA/東芝

現(xiàn)貨很近!原廠很遠(yuǎn)!只做原裝

  • 芯片型號(hào)：

    GT10J312

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會(huì)社東芝

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大小：

    509.24 kb

  • 資料說明：

    SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GT10J312(Q)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，10A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    400ns/400ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，10A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220SM

  • 描述：

    IGBT 600V 10A 60W TO220SM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    趙妍

  • 手機(jī)：

    18100277303

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23991454

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A棟17E

相近型號(hào)