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GT10J321中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GT10J321
廠商型號

GT10J321

功能描述

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT

文件大小

158.69 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-12 9:38:00

GT10J321規(guī)格書詳情

High Power Switching Applications

Fast Switching Applications

? Fourth-generation IGBT

? Enhancement mode type

? Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)

? High speed: tf = 0.03 μs (typ.)

? Low switching loss : Eon = 0.26 mJ (typ.) : Eoff = 0.18 mJ (typ.)

? Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ.)

? FRD included between emitter and collector

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    GT10J321

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 10A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA(東芝)
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