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GT60N322中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GT60N322
廠商型號(hào)

GT60N322

功能描述

Silicon N Channel IGBT Voltage Resonance Inverter Switching Application

文件大小

166.92 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 16:45:00

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GT60N322規(guī)格書詳情

Voltage Resonance Inverter Switching Application

? Enhancement mode type

? High speed : tf = 0.11 μs (typ.) (IC = 60 A)

? Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.4 V (typ.) (IC = 60 A)

? FRD included between emitter and collector

? TO-3P(LH) (Toshiba package name)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    GT60N322

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT Voltage Resonance Inverter Switching Application

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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